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Polar TM HiPerFET TM
Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode
IXFH12N100P
IXFV12N100P
IXFV12N100PS
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
=
=
≤
≤
1000V
12A
1.05 Ω
300ns
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Rectifier
PLUS220 (IXFV)
G
D
S
D (Tab)
Symbol
V DSS
V DGR
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Maximum Ratings
1000
1000
V
V
PLUS220SMD (IXFV_S)
V GSS
V GSM
I D25
I DM
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
± 30
± 40
12
24
V
V
A
A
G
TO-247 (IXFH)
S
D (Tab)
I AR
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
6
750
A
mJ
dv/dt
P D
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
15
463
V/ns
W
G
D
S
D (Tab)
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
D = Drain
Tab = Drain
T L
T SOLD
M d
F C
Weight
Maximum Lead Temperature for Soldering
Plastic Body for 10s
Mounting Torque (TO-247)
Mounting Force (PLUS220)
TO-247
PLUS220 types
300
260
1.13/10
11..65/2.5..14.6
6
4
°C
°C
Nm/lb.in.
N/lb.
g
g
Features
Low R DS(on) and Q G
Avalanche Rated
Low Package Inductance
Fast Intrinsic Rectifier
Advantages
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
High Power Density
Easy to Mount
Space Savings
BV DSS
V GS = 0V, I D = 1mA
1000
V
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 1mA
3.5
6.5
V
Applications
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = ± 30V, V DS = 0V
V DS = V DSS , V GS = 0V
T J = 125 ° C
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
± 100 nA
20 μ A
1.0 mA
1.05 Ω
Switch-Mode and Resonant-Mode
Power Supplies
DC-DC Converters
Laser Drivers
AC and DC Motor Drives
Robotics and Servo Controls
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS99920B(03/11)
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